| 部品型番 | TPH3206LDB | メーカー | Transphorm |
|---|---|---|---|
| 説明 | MOSFET N-CH 650V 16A PQFN | フリーステータス/ RoHS状態 | |
| 在庫あり | 9171 pcs | データシート | TPH3206LDB.pdf |
| 同上@ VGS(TH)(最大) | 2.6V @ 500µA | Vgs(最大) | ±18V |
| 技術 | GaNFET (Gallium Nitride) | サプライヤデバイスパッケージ | PQFN (8x8) |
| シリーズ | - | 同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 180 mOhm @ 10A, 8V |
| 電力消費(最大) | 81W (Tc) | パッケージング | Tube |
| パッケージ/ケース | 4-PowerDFN | 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount | 水分感受性レベル(MSL) | 3 (168 Hours) |
| 入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 720pF @ 480V | ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 6.2nC @ 4.5V |
| FETタイプ | N-Channel | FET特長 | - |
| 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 8V | ソース電圧(VDSS)にドレイン | 650V |
| 詳細な説明 | N-Channel 650V 16A (Tc) 81W (Tc) Surface Mount PQFN (8x8) | 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 16A (Tc) |
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