| 部品型番 | TPH3206PSB | メーカー | Transphorm |
|---|---|---|---|
| 説明 | MOSFET N-CH 650V 16A TO220AB | フリーステータス/ RoHS状態 | |
| 在庫あり | 13140 pcs | データシート | TPH3206PSB.pdf |
| 同上@ VGS(TH)(最大) | 2.6V @ 500µA | Vgs(最大) | ±18V |
| 技術 | GaNFET (Gallium Nitride) | サプライヤデバイスパッケージ | TO-220AB |
| シリーズ | - | 同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 180 mOhm @ 10A, 8V |
| 電力消費(最大) | 81W (Tc) | パッケージング | Tube |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Through Hole | 水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
| メーカーの標準リードタイム | 6 Weeks | 入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 720pF @ 480V |
| ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 6.2nC @ 4.5V | FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - | 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 8V |
| ソース電圧(VDSS)にドレイン | 650V | 詳細な説明 | N-Channel 650V 16A (Tc) 81W (Tc) Through Hole TO-220AB |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 16A (Tc) |
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