| 部品型番 | TPH3208LD | メーカー | Transphorm |
|---|---|---|---|
| 説明 | MOSFET N-CH 650V 20A PQFN | フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 在庫あり | 9553 pcs | データシート | TPH3208LD.pdf |
| 同上@ VGS(TH)(最大) | 2.6V @ 300µA | Vgs(最大) | ±18V |
| 技術 | GaNFET (Gallium Nitride) | サプライヤデバイスパッケージ | PQFN (8x8) |
| シリーズ | - | 同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 130 mOhm @ 13A, 8V |
| 電力消費(最大) | 96W (Tc) | パッケージング | Tube |
| パッケージ/ケース | 4-PowerDFN | 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount | 水分感受性レベル(MSL) | 3 (168 Hours) |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant | 入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 760pF @ 400V |
| ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 14nC @ 8V | FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - | 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 8V |
| ソース電圧(VDSS)にドレイン | 650V | 詳細な説明 | N-Channel 650V 20A (Tc) 96W (Tc) Surface Mount PQFN (8x8) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 20A (Tc) |
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