| 部品型番 | TPH3208PD | メーカー | Transphorm |
|---|---|---|---|
| 説明 | MOSFET N-CH 650V 20A TO220 | フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 在庫あり | 9253 pcs | データシート | TPH3208PD.pdf |
| 技術 | GaNFET (Gallium Nitride) | サプライヤデバイスパッケージ | TO-220 |
| シリーズ | - | パッケージング | Tube |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | 運転温度 | -55°C ~ 150°C |
| 装着タイプ | Through Hole | 水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant | 入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 760pF @ 400V |
| ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 14nC @ 8V | FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - | ソース電圧(VDSS)にドレイン | 650V |
| 詳細な説明 | N-Channel 650V 20A (Tc) Through Hole TO-220 | 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 20A (Tc) |
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