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AMI Semiconductor / ON Semiconductor
| 部品型番 | FDI045N10A-F102 | メーカー | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| 説明 | MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK-3 | フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 在庫あり | 37418 pcs | データシート | FDI045N10A-F102.pdf |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | サプライヤデバイスパッケージ | I2PAK (TO-262) |
| シリーズ | PowerTrench® | 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 4.5 mOhm @ 100A, 10V |
| 電力消費（最大） | 263W (Tc) | パッケージング | Tube |
| パッケージ/ケース | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | 他の名前 | FDI045N10A_F102 FDI045N10A_F102-ND |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 装着タイプ | Through Hole |
| 水分感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) | 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 5270pF @ 50V | ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 74nC @ 10V |
| FETタイプ | N-Channel | FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100V |
| 詳細な説明 | N-Channel 100V 120A (Tc) 263W (Tc) Through Hole I2PAK (TO-262) | 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 120A (Tc) |
| フェデックス | www.FedEx.com | 35.00ドルからの基本送料は、ゾーンと国によって異なります。 |
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