FDI045N10A

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

画像はあくまで参考用です、実用的な製品の仕様を参照してください。

製品の概要

部品型番:	FDI045N10A
メーカー/ブランド:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
製品の説明	MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK-3
仕様書:	FDI045N10A.pdf
RoHS ステータス	鉛フリー/ RoHS準拠
在庫状況	5725 pcs stock
配達場所	香港
輸送モード	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5725 pcs

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部品型番	FDI045N10A	メーカー	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
説明	MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK-3	フリーステータス/ RoHS状態	鉛フリー/ RoHS準拠
在庫あり	5725 pcs	データシート	FDI045N10A.pdf
同上@ VGS（TH）（最大）	4V @ 250µA	Vgs（最大）	±20V
技術	MOSFET (Metal Oxide)	サプライヤデバイスパッケージ	I2PAK (TO-262)
シリーズ	PowerTrench®	同上、Vgsは@ RDSで、（最大）	4.5 mOhm @ 100A, 10V
電力消費（最大）	263W (Tc)	パッケージング	Tube
パッケージ/ケース	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	運転温度	-55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ	Through Hole	水分感受性レベル（MSL）	1 (Unlimited)
鉛フリーステータス/ RoHSステータス	Lead free / RoHS Compliant	入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	5270pF @ 50V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs	74nC @ 10V	FETタイプ	N-Channel
FET特長	-	駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン	100V	詳細な説明	N-Channel 100V 120A (Tc) 263W (Tc) Through Hole I2PAK (TO-262)
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	120A (Tc)

★注文金額が1,000米ドルを超える場合、DHL / FEDEX / UPSによる無料配送。
（集積回路、回路保護、RF / IFおよびRFID、オプトエレクトロニクス、センサー、トランスデューサー、変圧器、アイソレーター、スイッチ、リレーのみ）

★配達時間は、DHL / UPS / FEDEX / TNTによる世界中のほとんどの国への2-4日を必要とします。

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